在湿法腐蚀过程中，用特定的熔液与需要腐蚀的薄膜材料进行化学反应，然后去除未被光刻胶覆盖的薄膜。

湿法腐蚀的特点是工艺简单，但湿法腐蚀中的化学反应没有特定的方向，因此会形成各向同性的腐蚀效果。各向同性是湿法腐蚀的固有特征，也可以说是湿法腐蚀的缺点。湿法腐蚀通常会腐蚀光刻胶边缘下的薄膜，这也会使腐蚀后的线宽难以管控。选择合适的腐蚀速度可以减少光刻胶边缘下膜的腐蚀。

熔液中的反应剂与被腐蚀膜的表面分子发生化学反应，产生各种反应产物。这些反应产物应为气体或可溶于腐蚀性液体的物质。这样，这些反应产物就不会沉积在腐蚀膜上。湿法腐蚀管控的主要参数包括：腐蚀溶液的浓度、腐蚀时间、反应温度和搅拌方法。由于湿法腐蚀是通过化学反应实现的，腐蚀液浓度越高，反应温度越高，膜腐蚀速度越快。此外，湿法腐蚀下降反应通常伴有放热和放气。反应放热会导致局部反应温度升高，加快反应速度；反应速度加快会加剧反应放热，使腐蚀反应处于不受管控的恶性循环中，导致腐蚀图形不能满足要求。气泡产生的反应放气会隔离局部膜与腐蚀的接触，导致局部反应停止，形成局部缺陷。因此，需要在湿法腐蚀中搅拌。此外，适当的搅拌（如超声波振荡）也可以在一定程度上减少光刻胶下膜的腐蚀。

湿法腐蚀常用的材料包括：Si，SiO2和Si2N下面我们将简要讨论一下。

一、Si的湿法腐蚀
在湿法腐蚀Si在各种方法中，大多数都使用强氧化剂Si氧化，然后使用HF酸与SiO2反应来去除SiO2.从而达到硅的腐蚀目的。较常用的腐蚀溶剂是硝酸氢氟酸和水(或醋酸)的混合物，化学反应方法是

Si HNO3 6HF——Ｈ2SiF4 HNO2 H2O H2

反应产生H2SiF4可溶于水。水是腐蚀液中的稀释剂，但建议使用醋酸（CH3COOH），由于醋酸能阻制硝酸的分解，使硝酸浓度保持在较高水平。对于HF-HNO混合腐蚀液，当HF的浓度高而HNO3浓度低时，Si膜腐蚀的速率HNO3浓度决定（即Si腐蚀率基本相同HF浓度无关），因为这时有足量的HF在溶解反应中产生SiO2.当HF的浓度低而HNO3浓度高时，Si腐蚀的速率取决于HF浓度(即取决于HF产生溶解反应SiO2的能力）。

对Si湿法腐蚀也可以使用KOH水溶液和异丙醇（IPA）混合。对于金刚石或闪锌矿结构，(111)表面的原子比(100)表面更密集，因此(111)表面的腐蚀速度应小于(100)表面。 采用SiO二层腐蚀(100)晶向硅表面作为掩膜，可获得V形沟槽结构。如果SiO2上图形窗口足够大，或腐蚀时间短，可形成U形沟槽。若腐蚀为(110)晶向硅片，则基本形成直壁槽，槽侧壁为(111)面。通过这种方式，可以利用腐蚀率对晶体取向的依赖来制造尺寸为亚微米的装置结构。然而，这种湿腐蚀方法主要用于微机械元件的制造，在传统的集成电路工艺中并不常见。

二、SiO2的湿法腐蚀
SiO氢氟酸可用于湿法腐蚀（HF）反应方法为：

SiO2 6HF——SiF4 2H2O H2

在上述反应过程中，HF持续消耗，随着时间的推移，反应速率降低。为了避免这种现象，一定的氟化氨通常被添加到腐蚀液中作为缓冲剂(形成的腐蚀液称为BHF）。产生氟化氨分解反应HF，从而维持HF的浓度。NH4F分解反应方程为

NH4F——NH3 HF

产生分解反应NH以气态排除。

在集成电路工艺中，除热氧化和热氧化外CVD等等SiO除腐蚀外，还需要磷硅玻璃(以下简称磷硅玻璃)PSG）硼磷硅玻璃(简称BPSG）等待腐蚀。由于这些二氧化硅层的成分不完全相同，因此HF对这些SiO2.腐蚀率不完全相同。基本上，热氧化产生的二氧化硅层腐蚀速率非常慢。

三、Si3N4的湿法腐蚀

Si3N也是常用的湿法腐蚀材料。Si3N加热磷酸(130-150度)可用于加热H3PO4）来进行腐蚀。磷酸对Si3N4的腐蚀率通常大于对SiO腐蚀腐蚀率。