晶圆片清洗篮导电玻璃清洗架硅片承接架可定制四氟3寸
¥480.00
特氟龙FEP/PFA输送管90度1/4英寸弯曲管可定制高温
¥720.00
四氟砂芯过滤装置25mm过滤膜可耐受氢氟酸可定制
¥2000.00
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A194-60MB PFA6英寸清洗花篮晶圆运输盒英特格特氟龙花篮25片
- ¥1700.00 2 - 0
- ¥2000.00 ≥1
参数
- 瑞尼克品牌
- 否加工定制
- 花篮种类
江苏 南京
3天内发货
200
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产品详情
：刻蚀分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术，国内的苏州华林科纳在湿法这块做得比较好。
下面分别介绍各种薄膜的腐蚀流程：
二氧化硅腐蚀：
在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，国内目前腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度敏感，温度越高，腐蚀越快。
具体步骤为：
1、华林科纳设备工程师认为将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；
2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；
3、冲纯水；
4、甩干。
二氧化硅腐蚀机理为：
H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。
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产品参数
- 瑞尼克
- 否
- 花篮
- A194-60MB
- 硅片清洗
- 耐受酸碱
- 透明
- 25片
- 6寸
- 蚀刻机
- 200°
