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赛福消磁器高压脉冲储能自愈薄膜电容 1600VDC 350UF

¥590.00 1 - 9PCS
¥530.00 ≥10PCS

参数

金属化薄膜产品特性
SaiFu品牌
1600VDC 350UF型号

发货地安徽铜陵 10天内发货供货总量30PCS

安徽赛福电子有限公司 5年: 进入店铺在线咨询

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产品详情

赛福消磁器高压脉冲储能自愈薄膜电容 1600VDC 350UF能够在较长时间内充电，而在较短时间内放电，从而形成一个很大的脉冲功率。脉冲功率的获取是靠已充电的脉冲电容器组，通过主电抗器短时振荡放电获得的，而脉冲电容器组是在试验前由功率不大的充电装置，用较长的时间充电，振荡放电为数十毫秒，从而大大增加了试验功率与电源功率之比，改变了经济效率。

主要特点：

·功耗低，适宜于大功率、大电流、高耐压、高浪涌应用；

·具有较好的容量和体积性能比

·随温度变化小，使用时间加长；

·反峰电压可达较高；

·高储能,耐高脉冲电流能力；

·自恢复特性好；

·低电感,低ESR；

·外壳材料为不锈钢或冷轧板、安装方便。

主要产品参数：

·容量范围：C=100μF～6000μF；

·容量偏差：一般±5%，根据要求可以定制；

·额定电压：Un=1KV～5KV；

·等效串联电阻：ESR≤5mΩ

·反峰电压可达80%以上；

·充放电次数：可达2，000，000次；

·损耗角正切：tgδ≤0.002（100Hz）；

·使用环境温度宽：-40℃～+75℃；

·使用标准：JB/T8168 或客户要求。

主要产品规格：

产品型号	电压（KV）	容量（μF）
MFO(D)1K001007	1.0	1000
MFO(D)1K002007	1.0	2000
MFO(D)1K005007	1.0	5000
MFO(D)1K205006	1.2	500
MFO(D)1K201007	1.2	1000
MFO(D)1K202007	1.2	2000
MFO(D)1K505006	1.5	500
MFO(D)1K501007	1.5	1000
MFO(D)1K501507	1.5	1500
MFO(D)1K602006	1.6	200
MFO(D)1K605006	1.6	500
MFO(D)1K601007	1.6	1000
MFO(D)1K601507	1.8	2000
MFO(D)2K002006	2.0	200
MFO(D)2K005006	2.0	500
MFO(D)2K001007	2.0	1000
MFO(D)2K205006	2.2	500
MFO(D)2K201007	2.2	1000
MFO(D)2K502006	2.5	200
MFO(D)2K505006	2.5	500
MFO(D)3K002006	3.0	200
MFO(D)3K005006	3.0	500
MFO(D)4K002006	4.0	200
MFO(D)4K005006	4.0	500
MFO(D)4K502006	4.5	200
MFO(D)4K505006	4.5	500
MFO(D)5K002006	5.0	200
MFO(D)5K005006	5.0	500
以上数据仅供参考，根据用户要求，我们可以设计、制造其它规格要求的脉冲电容器。