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硅胶按键厂家控制结晶排列的薄膜技术
真空蒸汽沉积法、离子化蒸汽沉积法、喷镀蒸汽沉积法及CVD法都能发生外延，但采用CVD法时，外延温度在1000℃左右，而在真空蒸气沉积法和喷镀蒸汽沉积法时多数在几百度就很好，目前真空蒸汽沉积法和喷镀蒸汽沉积法研究例子比较多.离子束蒸汽沉积法和多离子束蒸汽沉积法也可在***温度下发生外延。对于化合物薄膜的外延，采用对组成容易控制的喷镀蒸汽沉积法更为合适。
晶体取向外延是指一种物质在另一种物质上，以具有特定取向的结晶生长现象。在薄膜形成过程中连续进行观察。
控制结晶排列的薄膜技术
硅胶按键工厂薄膜在外延生长时，衬底物质种类和取向以及衬底温度的选择是非常重要的因素。外延膜的排列受衬底晶格的几何因素影响很大，通常使用清净单晶作衬底。
对于膜一衬底组合存在发生外延***衬底温度及外延温度。外延温度随着衬底表面状态、蒸汽沉积速度和周围气体种类及压力的不同而发生变化。特别是蒸汽沉积速度快时，外延温度有增高倾向，所以外延多数要求高温和低沉积速度。
外延生成的薄膜整体一定是一个单晶。在衬底垂直方向上成为几个5m程度的晶粒集合体情况也有。
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