圆柱氧化铝靶 陶瓷氧化铝靶 加硬镀膜Al2O3靶材（UVTM）
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圆柱铟靶材 4N高纯铟靶 旋转铟管靶（UVTM）
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iwo靶材 IWO靶材 iwo靶材厂家（UVTM）
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平面多晶硅靶 邦定多晶硅靶 邦定单晶硅靶（UVTM）
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平面单晶硅靶 高纯单晶硅靶 邦定多单晶靶（UVTM）
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真空镀膜用靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，硫化物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化铟靶材(InP)，铅靶材(PbAs)，铟靶材(InAs)、陶瓷靶材ITO靶。
由于人们对溅射机理缺乏深入了解且溅射薄膜技术发展缓慢，商业化的磁控溅射设备直到1970年才逐渐应用于实验室和小型生产。自20世纪80年代，以集成电路、信息存储、液晶显示器、激光存储器、电子控制器为主的电子与信息产业开始进入高速发展时期，磁控溅射技术才从实验室应用真正进入工业化规模生产应用领域。近10年来，溅射技术更是取得了突飞猛进的发展。
相比PVD另一大工艺真空镀膜，溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点，已成为制备薄膜材料的主要技术。根据应用领域的不同，靶材的材料、形状也会有所差异。根据形状可分为长(正)方体形、圆柱体形、无规则形以及实心、空心靶材。
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