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参数
  • 士兰微品牌
  • SVF3N80型号
  • 绝缘栅(MOSFET)种类
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东莞市中铭电子有限公司
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产品详情

Mosfet场效应晶体管

 

型号:SVF3N80M/MJ/F/D

 

 

一、描述

mosfet场效应晶体管提供的SVF3N80M/MJ/F/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。***的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

mosfet场效应晶体管产品可广泛应用于AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

 

二、特点

  3A,800V,RDS(on)(典型值)=3.8Ω@VGS=10V      

  低栅极电荷量 

  低反向传输电容 

  开关速度快  

  提升了 dv/dt 能力

 

东莞市中铭电子有限公司

 

mosfet场效应晶体管免费咨询电话:400788 7770    

销售电话:0769-81150556    手机:18929103949唐经理

工程部电话:0769-85638990  手机:13725767930赵 工

邮箱:dgzm699@163.com       QQ:2057046156     传真:0769-83351643

总部地址:  广东省东莞市大岭山镇金多港开发区

佛山办事处:佛山市顺德区容桂镇容奇大道169号

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中山办事处:中山市古镇古四怡廷豪园11栋1303房

杭州办事处:杭州市萧山区闻堰镇江南摩卡19-02-1903

中铭***:   


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