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SI2300 SOT-23低压MOS场效应管中文资料

参数
  • HC/浩畅品牌
  • SI2300型号
  • 绝缘栅(MOSFET)种类
广东 深圳 1天内发货 900000个
深圳市浩畅半导体有限公司
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产品详情

SI2300 SOT-23低压MOS场效应管产品主要参数介绍:

产品型号:SI2300

产品封装:SOT-23

产品品牌:HC/浩畅

是否环保:无铅环保

最小包装:3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压(VDS:20V

漏极电流(ID:3.8A

漏源电流脉冲IDM:1***

栅源电压(VGS:±10V

结温(TJ:150

储存温度(TSTG:-55~150

耗散功率(PD:1.25W

栅源极开启电压VGS(th):0.55~1.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

 

MOS管怎么区分N沟道和P沟道

MOS管的大致结构G极、D极、S极

一、

   在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向,P沟道的箭头是向外侧指向的。

二、

 在实际测量中我们教大家用外用表测试,MOS管有S极、和D极。

三、

 N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接S极,黑表笔接D极,测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。

四、

 P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接D极,黑表笔接S极,测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。

 

 

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