取消

商品
详情

IRFBE30PBF N沟道通孔 MOS管 4.1A 125W封装TO-220-3

面议

参数

Vishay Siliconix品牌
IRFBE30PBF型号
绝缘栅(MOSFET)种类

发货地广东深圳 3天内发货供货总量575888个

深圳市深力科电子有限公司: 进入店铺在线咨询

IDW100E60 通孔二极管整流器 150A 封装 TO-247-3

IDW100E60 通孔二极管整流器 150A 封装 TO-247-3 面议

IDW75E60 快恢复二极管整流器 600V 120A 封装TO247-3

IDW75E60 快恢复二极管整流器 600V 120A 封装TO247-3 面议

IKW50N65ES5 IGBT MOS 晶体管 650V 80A 封装TO247-3

IKW50N65ES5 IGBT MOS 晶体管 650V 80A 封装TO247-3 面议

IDW10G120C5B 整流器二极管 1.2KV 10A 封装TO247-3

IDW10G120C5B 整流器二极管 1.2KV 10A 封装TO247-3 面议

IKW40N60H3 IGBT 晶体管 600V 80A 306W 封装TO247-3

IKW40N60H3 IGBT 晶体管 600V 80A 306W 封装TO247-3 面议

IKW50N60H3 MOS 晶体管 600V 100A 333W 封装TO247-3

IKW50N60H3 MOS 晶体管 600V 100A 333W 封装TO247-3 面议

产品详情

为您推荐

产品分类更多 >

全部集成电路IC 场效应MOS管 IGBT管肖特基快恢复整流管光电耦合器二三极管电容电位器

供应商网> 场效应管(MOSFET)> 其他场效应管> IRFBE30PBF N沟道通孔 MOS管 4.1A 125W封装TO-220-3

在线问

产品参数

品牌Vishay Siliconix
型号IRFBE30PBF
种类绝缘栅(MOSFET)
沟道类型N沟道
导电方式增强型
用途S/开关
封装外形CER-DIP/陶瓷直插
材料GE-N-FET锗N沟道
是否跨境货源否
货号567686
批号2020+
封装TO-220-3
Vdss800V
Id4.1A
功率125W

1/4

面议在线咨询

进店电话在线咨询获取最低报价

IRFBE30PBF N沟道通孔 MOS管 4.1A 125W封装TO-220-3: ¥面议