制造商: Microsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-20***F-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 28.51 nC
最小工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Microsemi
正向跨导 - 最小值: -
CNHTS: 8541290000
下降时间: 45 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 75 ns
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000 包装 散装
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 军用,MIL-PRF-19500/557
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 195 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 28.51nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 800mW(Ta),25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-20***F(TO-39)
封装/外壳 TO-20***D,TO-39-3 金属罐