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- Microsemi品牌
- JANTX2N6796 型号
- TO-205AF（TO-39）封装
制造商: Microsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-20***F-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 28.51 nC
最小工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Microsemi
正向跨导 - 最小值: -
CNHTS: 8541290000
下降时间: 45 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 75 ns
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000 包装 散装
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 军用，MIL-PRF-19500/557
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 195 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 28.51nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-20***F（TO-39）
封装/外壳 TO-20***D，TO-39-3 金属罐
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