175度三极管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管,具有体积小,电压范围大,结实可靠,可耐高温,常用型号有2N2222A等,适用于石油测井勘探及其他科研领域。
耗散功率耗散功率也称集电极允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的允许结温和集电极电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
225度达林顿晶体管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管,具有体积小,电压范围大,225度NPN晶体管电路,结实可靠,可耐高温,常用型号有2N2222A等,适用于石油测井勘探及其他科研领域。
场效应晶体管
场效应晶体管(field effect transistor)利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频***、功耗小,150度高温NPN晶体管电路,制造工艺简单、温度特性好等特点,广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。
150度MOS管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管,具有体积小,电压范围大,结实可靠,NPN晶体管,可耐高温,常用型号有2N2222A等,适用于石油测井勘探及其他科研领域。
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。