TE01δ
TE01δ介质谐振器用于测量块状低损耗盘状或柱状介质陶瓷复介电常数。此谐振腔体技术可以非常精准的得到测试结果,此外,利用该技术还可以测量介电常数的热系数和介质损耗角正切,材料的Qf测试,介质滤波器材料介电性能测试
。
SPDR使用特定的谐振模式。这种模式有一个特定的共振频率取决于谐振器的尺寸,但在某种程度上,也取决于被测样品的电性能。因此,每个谐振器被设计为特定的标称频率,并且实际测量是在接近标称频率的频率下进行的。SPDR基本线路的标称频率为:1.1GHz、1.9 GHz、2.45 GHz、5 GHz、10 GHz。其他频率在1.1到20 GHz之间的谐振器可以根据特殊要求制造。
SiPDRs
SiPDRs用于测量超材料和电阻薄膜的表面阻抗,以及半导体晶片的导电性的无接触测量。可测量的薄膜材料范围包括电阻层,表面电阻Rs<20kQ/平方的金属薄膜和导电聚合物薄膜。半导体晶片的电阻率测量上限约为1000 Qcm。利用分裂后介电共振可以方便地测量高电阻率半导体
表面电阻的测定精度约为±2%。