特价库存 MHMD082P1V MHMD082PIU
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特价库存 M6GA150M M6GA15B M6GA15M
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A06B-0102-B078 回收
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A06B-0147-B188 高价回收
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A06B-0166-B088 回收
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2019年7月27日，正式批复同意设立中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。8月20日，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管委会正式揭牌。
主要用途
空调、光伏发电、充电基础设施、车载充电器等的电源系统
PLC参数设置
在这里插入图片描述
这里没什么好说的，只要对应上变频器的参数就行。
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
程序
在这里插入图片描述
由于FX3U有的变频器通讯指令，所以控制起来很简单，这里我重点演示IVDR指令。
[IVDR 站号 命令 参数 通道]在这里插入图片描述
IVDR的执行过程：给站号1发送命令号FD（十六进制），并把9696（十六进制）作为参数，使用通道1。
这一段程序的作用是上电自动把变频器复位，并切换至NET模式。
如果出现E.PUE报警，请看变频器参数设置。
在这里插入图片描述
IVCK和IVDR的参数部分基本一样，只不过一个是发送，一个是接收。
发送6F命令并把接收回来的数值放到D0中。
这段程序是读取变频器当前运转的频率。在这里插入图片描述
上面这条代码主要就实现了对电机的运行控制。
理解段代码有点难度，FA这条命令能做到对电机的基本控制。下面是这条指令的详细部分。
在这里插入图片描述
代码里K2M10就对应b0~b7，当M10为ON时，对应的b0就会闭合。
如果要中速正转，就需要将b1和b4闭合，也就是程序中的M11和M14。
当然你要是觉得麻烦完全可以用K18或H12作为参数，一样都可以实现中速正转。
让电机停下来要让b7为ON。
在这里插入图片描述
这条代码是写频率，要跟上面那一条配合的使用。
只有当上面的代码选择了电机的旋转方向，但没有选择速度，才会以这条代码的频率去运行。
搭载SiC-MOSFET，能够降低通态阻抗，与已有产品*相比，功率损耗约减少70％
反向恢复电流变小，降低系统运行噪音
集成丰富功能，如自举电路、温度输出等
采用的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片，门驱动无需负压关断
确保封装和引脚布局与已有产品*的兼容性，直接更换可提高系统性能
*
: 本公司产超小型DIPIPM系列
内部模块图
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功率损耗比较
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Featured Products
PV用 600V/50A 大型混合SiC DIPIPM的优点
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