MMBT5551是一种NPN型硅晶体管,具有以下特性:
• 集电极-发射极击穿电压(Vceo):160V;
• 截止频率(ft)典型值:300MHz;
• 功耗(Pd):350mW;
• 集电极直流电流:600mA;
• 直流电流增益(hFE):250(测试频率为15.7kHz,Ic hFE为250mA,最小值为80 @ 10mA,5V );
• 噪声:8dB;
• 封装类型:SOT-323;
• 引脚数:3;
• 表面安装器件:表面安装;
• 集电极连续电流:600mA;
• 总功率(Ptot):0.35W;
• 工作温度范围:-55°C 至 150°C。
该晶体管常应用于放大电路、开关电路等多种电子电路中。在使用时需注意其参数,以确保电路能正常工作。具体应用场景包括但不限于:音频放大、射频放大、电源管理、数字电路中的逻辑切换等。
不同厂家生产的 MMBT5551 可能会在某些参数上存在细微差别,在实际使用时,建议参考相应厂家提供的数据手册。