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全新德国英飞凌FZ1200R33HE3/FZ1200R33KF2C功率IGBT模块【誉优】

参数
  • 英飞凌品牌
  • FZ1200R33HE3型号
  • 23+批号
江苏 昆山市 1天内发货 10000PCS
江苏誉优电子科技有限公司 4年
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产品详情




规格


产品属性属性值搜索类似
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
发货限制:

此产品可能需要其他文件才能从美国出口。


RoHS:N
配置:Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极电压 VCEO:3300 V
集电极—射极饱和电压:3.4 V
在25 C的连续集电极电流:2000 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:14.5 kW
封装 / 箱体:IS*** ( 62 mm )-9
小工作温度:- 40 C
工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:38 mm
长度:190 mm
宽度:140 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射极电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:1
子类别:IGBTs
零件号别名:FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603 FZ1200R33KF2CNOSA1





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