原厂现货FM31256-G芯片存储器FRAM

¥10.00 10000 - 99999
¥9.00 ≥100000

参数

CYPRESS品牌
FM25CL64B-G型号
存储器类型

发货地广东深圳 10天内发货供货总量1000000PCS

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产品详情

原厂现货FM31256-G芯片存储器FRAM，FM31256-GFRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FM31256-G保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FM31256-G存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通RO

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