MRAM存储器 FM16W08-SGTR存储芯片
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MRAM存储器FM28V100-WAF存储芯片
¥9.00
MRAM存储器CY15B104Q-WAF存储芯片
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cypress赛普拉斯 低功率MRAM 磁性存储器FM16W08-SGTR
- ¥10.00 10000 - 99999
- ¥9.00 ≥100000
参数
- cypress赛普拉斯品牌
- FM16W08-SGTR型号
- 存储器类型
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产品详情
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
深圳英尚微电子有限公司
英尚国际有限公司
Ramsun International Limited
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产品参数
- cypress赛普拉斯
- FM16W08-SGTR
- 存储器
- 4Kb - 4Mb
- 44pin/48pin
- 军工
- TSOP II
- FM16W08-SGTR
- 低功耗
- 2018+
- 库存现货
- 卷装或盘装
- 真空包装
- 3C数码
- 容量存储器
- 低功率MRAM存储器
- 磁性存储器
