FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 1390 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 kW
封装 / 箱体: PRIME3
***小工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 250 mm
宽度: 89 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF1000R17IE4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 1390 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 kW
封装 / 箱体: PRIME3
***小工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 250 mm
宽度: 89 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF1000R17IE4
以下型号我公司常备***:
FF600R12ME4 FP10R12W1T4 FF100R12RT4 FF400R12KT3 FZ400R12KS4 FP25R12W2T4 F3L300R07PE4 FP40R12KT3G FZ600R12KS4 FS100R12KT3 FP75R12KT4 FP50R12KT4 FZ400R17KE3 FZ400R12KE3 FP50R12KT4G FF75R12RT4 FS200R12KT4R FP35R12W2T4 BSM100GB60DLC FF450R12ME4 BSM200GA120DN2 FF300R17KE3 BSM200GA120DN2 FF300R12ME4 FP25R12KT3 FP15R12W1T4FF200R17KE3 FF300R17KE4 FF100R12KS4FP10R12YT3 FS150R12KT4 FP15R12YT3 FF150R12RT4 FF1400R12IP4 F3L150R07W2E3-B11 F3L100R07W2E3-B11 F3L300R07PE4 FF200R33KF2C FF1000R17IE4 FF300R17ME4 FF450R17ME4 FF600R17ME4FF600R17ME4-B11FZ900R12KE4 FF1800R17IP5 FF1000R17IE4