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鉴于测温的传感器信号非常微弱，需要用高精度、低噪声的运算放大器和高精度、低功耗的ADC。 运算放大器可供选择：MS8551 or MS8601，具有低失调（1uV）、低噪（22nV√Hz ）、封装小等优点，国内各品牌中有优势。
ADC可供选择：MS1112 or MS1100，具有高精度（16bit）、多通道、低功耗（<1uA），IIC接口，内部集成的 2.048V 基准源、封装小等优点。
MCU可供选择：MS616F512，自带LCD，16位单片机，低功耗、自带低压检测、***工作（1.8V）等优势；
测温方案采用全套瑞盟产品，应用更加稳定、搭配更加可靠。 框图如下： 原理图如附件 PCB图如需要，请联系我司FAE
DEMO图：
红外额温枪方案框图
为了扩大温度测量范围，本电路采用9V电池供电，先通过一个高压LDO 把电池电压转为3V，供整个系统使用，包括为单片机，背光灯，运放等器件供电，然后再用一个低功耗LDO 从3V降为1.5V，这样做的目的是给热电堆提供一个参考电压，让整个测量温度范围可以扩大。为了在不同的环境温度下能够计算正确，单片机还必须要读取当前的环境温度，实现方式是通过读取热电堆内部的NTC电阻与固定100kΩ电阻分压的电压点来计算。
由于热电堆的输出电阻较高，因此运放部分的拓扑宜采用同相放大器，放大倍数大概需要100倍以上，需要预留低通滤波以降低输出噪声，为了尽量提高温度的分辨率，要求运放的1/f噪声小于5uVpp，同时直流失调电压小于10uV。在该电路中，使用的运放MS8551具有***的失调电压，适合用于DC或者低频信号放大。
三、芯片详细参数
MS8551的主要特点是：
宽工作电压范围：2.5V~5.5V；
***失调电压：典型值1uV，值5uV；
***温度漂移：典型值5nV/°C，值50nV/°C；
***输入偏置电流：50pA；
单位增益带宽：4.5MHz；
静态电流：640uA每通道；
0.01Hz~10Hz噪声：0.75uVpp。
高压LDO和低压LDO：
主要特点是：
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