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OC6700替代XL6003/XL6005/MT7261/MT7282，欧创芯升压芯片
- ¥0.10 ≥3000PCS起批
- 欧创芯品牌
- OC6701型号
- 驱动IC类型
OC6701
升压型 LED 恒流驱动器
深圳欧创芯半导体有限公司
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OC6701_V1.0
典型应用电路图
概述
OC6701是一款、的升
压型大功率LED恒流驱动控制芯片。
OC6701内置误差放大器，固
定关断时间控制电路，恒流驱动电路等，
特别适合大功率、多个高亮度LED灯串恒
流驱动。
OC6701采用固定关断时间的控制方
式，关断时间可通过外部电容进行调节，
工作频率可根据用户要求而改变。
OC6701通过调节外置的电流采样电
阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，使
LED灯亮度达到预期恒定亮度。在EN端
加PWM信号，还可以进行LED灯调光。
OC6701内部集成了VDD稳压管，软
启动以及过温保护电路，减少外围元件并
提高系统可靠性。
OC6701采用SOP8封装。
特点
宽输入电压范围：3.6V~100V
：可高达95%
工作频率：1MHz
CS限流保护电压：250mV
FB电流采样电压：250mV
芯片供电欠压保护：3.2V
关断时间可调
智能过温保护
软启动
内置VDD稳压管
应用
LED灯杯
电池供电的LED灯串
平板显示LED背光
大功率LED照明OC6701
升压型 LED 恒流驱动器
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OC6701_V1.0
封装及管脚分配
管脚定义
管脚号 管脚名 描述
1 GND接地
2 EN芯片使能，高电平有效；可做PWM调光脚。
3 COMP频率补偿脚
4 FB输出电流检测反馈脚
5 DRV驱动端，接外部MOS管栅极
6 CS输入限流检测脚
7 TOFF关断时间设置
8 VDD芯片电源OC6701
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OC6701_V1.0
极限参数
（注 1）
符 号 描述 参数范围 单位
VDD VDD端电压5.5 V
VMAXEN、DRV、COMP、FB、TOFF
和CS脚的电压
-0.3~VDD+0.3 V
PSOP8SOP8封装功耗0.8 W
TA工作温度范围-20~85
o
C
TSTG存储温度范围-40~120
o
C
TSD焊接温度范围（时间小于30秒）240
o
C
VESD静电耐压值（人体模型）2000 V
注1：极限参数是指超过上表中规定的工作范围可能会导致器件损坏。而工作在以上极限条件下可能会影响器
件的可靠性。
内部电路方框图OC6701
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OC6701_V1.0
电特性(除非特别说明，VDD=5.5V，TA=25
o
C)
参数 符号 测试条件 小值 典型值 值 单位
电源电压
VDD钳位电压VDDIVDD<10ma 5.5 v
欠压保护电压VDD_UVLOVDD上升3.2 V
欠压保护迟滞VDD_HYS 0.5 V
电源电流
工作电流IOPFOP=200KHz 1.3 mA
待机输入电流IINQ无负载，EN为低电平200 uA
功率管电流采样
过流保护阈值VCS_TH240 250 260 mV
输出电流采样
FB脚电压VFB240 250 260 mV
关断时间
小关断时间TOFF_MINTOFF脚无外接电容620 ns
EN使能端输入
EN端输入高电平0.4*VDDV
EN端输入低电平0.8 V
DRV驱动
DRV上升时间TRISEDRV脚接500pF电容50 ns
DRV下降时间TFALLDRV脚接500pF电容50 ns
过温保护
过温调节OTP_TH 135
o
COC6701
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OC6701_V1.0
应用指南
概述
OC6701是一款升压型大功率LED恒流驱动控制IC，采用固定关断时间的峰值电流模式
控制方式。
芯片内部由误差放大器、PWM比较器、电感峰值电流限流、固定关断时间控制电路、
PWM逻辑、功率管驱动、基准等电路单元组成。
芯片通过FB管脚来采样LED输出电流。系统处于稳态时FB管脚电压VFB恒定在约
250mV。当VFB电压低于250mV时，误差放大器的输出电压即COMP管脚电压升高，从而使
得在功率管导通期间电感的峰值电流增大，因此增大了输入功率，VFB电压将会升高。反之，
当VFB电压高过250mV时，误差放大器的输出电压会逐渐降低，从而使得在功率管导通期间
电感的峰值电流减小，因此减小了输入功率，VFB电压随之降低。
芯片通过CS管脚采样电感电流，实现峰值电流控制。此外，CS脚还用来限制输入
电流，实现过流保护功能。
系统关断时间可通过连接到TOFF管脚的电容COFF来设置。通过设定关断时间，可设置系
统的工作频率。
COMP管脚是误差放大器的输出端，可以在COMP脚外接电阻、电容来实现频率补偿。
OC6701内部集成了VDD稳压管，以及软启动和过温保护电路。
LED电流设置
LED输出电流由连接到FB管脚的反馈电阻RFB设定：
0.25LED
FB
I
R=
TOFF设置
关断时间可由连接到TOFF引脚端的电容COFF设定：
T K C pF TOFF OFF D= Ω + +0.51 150 ( 7.3 )
其中TD=61ns。
如果不外接COFF，OC6701内部将关断时间设定为620ns。对于大多数应用，建议COFF电
容取值为22~33pF或更大。
系统工作频率FS
系统工作频率FS由下式确定：
I N
S
OUT OFF
V F
V T=
OC6701
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其中VIN、VOUT分别是系统输入和输出电压。
电感取值
流过电感的纹波电流大小与电感取值有关。工作于连续模式时电感纹波电流由下式确定：
OUT IN
L OFFV V I T
L
Δ=
增大电感值纹波电流会减小，反之增大。
连续模式下电感的峰值电流由下式确定：
1
2
O LED
pk L
IN
V I I I
Vη
= + Δ
电感电流工作在连续模式与非连续模式的临界值由下式确定：
( )
2
IN OUT IN OFF
OUT LED
VV VT Lcri
V I
=
电感数值大于Lcri则系统工作在连续模式，电感数值小于Lcri则系统工作在非连续模式。
在电感选择时，应流过电感的峰值电流不引起电感的磁饱和。通常要求电感的饱和
电流大于电感峰值电流的1.5倍以上。同时应选择低ESR的功率电感，在大电流条件下电感
自身的ESR会影响系统的转换效率。
RCS设置
需合理设置RCS电阻阻值，以防止在正常负载下因为输入限流而限制输出功率。
0.2
* *
* 2
CS
OUT LED OUT IN
OFF
IN
R VI VV T
ηV L
≤ +
其中η表示转换效率，典型地可取90%。应在输入电压下计算得到RCS值。
系统的峰值电流IPK由电阻RCS限定：
0.25PK
CS
I
R≤
MOS管选择
首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过输出电压的1.5倍以上。其
次，根据驱动LED电流的大小以及电感峰值电流来选择MOS管的IDS电流。一般MOS管的
IDS电流应是电感峰值电流的2倍以上。此外，MOS管的导通电阻RDSON要小，RDSON
越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。
另外，高压应用时应注意选择阈值电压在2.5V以内的MOS管。芯片的工作电源电压决定OC6701
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了DRV驱动电压。通常芯片的驱动电压为5.5V，所以应MOS管在VGS电压等于5.5V时导
通内阻足够低。
供电电阻选择
OC6701通过供电电阻RVDD对芯片VDD供电。
IN
VDD
VDD
V VDD R
I
=
其中VDD取5.5V, IVDD典型值取2mA，VIN为输入电压。当开关频率设置的较高或者MOS管的
输入电容较大时，芯片工作电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。
芯片内部接VDD脚的稳压管钳位电流不超过10mA，应注意RVDD的取值不能过小，以
免流入VDD的电流超过允许值，否则需外接稳压管钳位。
过温保护
当芯片温度过高时，系统会限制输入电流峰值，典型情况下当芯片内部温度超过135度以
上时，过温调节开始起作用：随温度升高输入峰值电流逐渐减小，从而限制输入功率，增强系
统可靠性。OC6701
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