一般信息
数据列表IRFR5305PbF, IRFU5305PbF;标准包装 2,000包装 标准卷带 零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®其它名称IRFR5305PBFTRSP001557082 |
规格
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)31A(Tc)驱动电压( Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)65 毫欧 @ 16A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)63nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1200pF @ 25VFET 功能-功率耗散(值)110W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |