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•隔离耐压3750Vrms, 5000Vrms
•VDE增强型隔离认证
•数据速率DC至150Mbps
•高CMTI:200kV/μs
•芯片级ESD: HBM: ±8kV
•增强的系统级ESD 、EFT、抗浪涌能力
•隔离栅寿命:>60年
•低传播延迟典型值<15ns
•低功耗: 1.5mA/ch (1 Mbps)
•工作温度:-40~125℃
•AEC-Q100认证
•符合RoHS的封装:SOP8, SOW8,SOW16