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CJB3R9SN10B采用屏蔽栅沟技术和设计，提供优良的RDS（ON）和低栅充电。它可以用于各种应用
功能应用程序3.3mΩ@10VV（BR）DSSRDS（开）TYPID低RDS（开）低门电荷3R9SN10B =设备代码。实点=绿色成型复合装置，如无，则为正常装置。XXXX =代码.TC=25°℃. 2.仅受到允许的温度的限制。 3.VDD=50V，VGS=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω起动TJ=25°℃。 4.脉冲测试：脉冲宽≤380µs，占空比≤2%。 5.设备安装在1/2的FR-4板上，配有2盎司。单面铜，在静空气环境中与TA=25℃
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