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芯博源主要回收电子料，包括：
存储类FLASH芯片，如东芝，三星，海力士，镁光，华邦。
通信类电子元器件，如通信IC、通信模块、功率模块、CPLD、内存、大功率IBGT、DSP、服务器CPU、硬盘、服务器网卡等。
电源类电子元器件，如电源IC、MOS管、电解电容、钽电容、电源成品、IGBT模块、UPS主控MCU、DSP、电源板等。
家电类电子元器件，如家电IC、MCU、单片机、继电器、电解电容、MOS管、IBGT等。
工控类电子元器件，如工控IC、DSP、单片机、硬盘等。
安防类电子元器件，如安防IC、CCD、感光芯片、OV芯片、镁光芯片、摄像头及组件、主控等
汽车电子类电子元器件，如MCU、DSP、驱动芯片、单片机、内存FLASH、液晶屏、WIFI模块、收音模块、蓝牙芯片、CSR芯片、蓝牙模块等
消费类电子元器件，如：数码相机主控、玩具用IC、内存、液晶屏等。
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【电子元件】 【手机IC】 【内存收购】 【高频管收购】
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【电子废料】 【汽车IC】 【模块收购】 【单片机收购】
【二三极管】 【逻辑IC】 【裸片收购】 【内存条收购】
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IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏极电流限制，其值一般取为15V左右。
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