NCE40ND0812S是一款采用***的沟槽技术和设计的N沟槽型功率MOS管,其特点包括: 1. 封装为SOP-8,便于安装。 2. V-DS=40V,I-D=8A时,在V-GS=10V时的R-DS(ON)小于18m,在V-GS=4.5V时的R-DS(ON)小于28m。 3. V-DS=40V,I-D=12A时,在V-GS=10V时的R-DS(ON)小于14m,在V-GS=4.5V时的R-DS(ON)小于20m。 4. 采用***R-ds高密度电池设计,具有***的性能。 5. 完全特征化的雪崩电压和电流,说明产品的品质***,***。 6. 产品适用于多种应用,提供***R-DS(ON),可在电源管理和开关模式电源等领域***应用。作为一种***的N沟槽型功率MOS管,NCE40ND0812S在电源电路、逆变电路、电机驱动、LED驱动、开关电源、高速开关应用等方面具有***的应用前景。