HK32F103VET6国产替代STM32F103VCT6 封装LQFP100 航顺mcu芯片,HK32F103xCxDxE 系列使用 ARM® Cortex®-M3 内核,工作频率 120 MHz。
HK32F103xCxDxE 内置了大容量存储器:512Kbyte Flash、64 Kbyte SRAM。此外,可通过 FSMC 模块外挂最多 1 Gbyte 容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器,其中有 256 Mbyte 的空间可以存放指令,并且可以被片内 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。
HK32F103xCxDxE 内置的 CRC 模块提供了数据完整性的检查能力。
HK32F103xCxDxE 内置了丰富的通信接口满足多种通信应用场景:5 路 USART/UART、3 路 SPI(支持I2S 协议)、1 路 SDIO、2 路 I2C、1 路 CAN 2.0 A/B 和 1 路 FS USB。
HK32F103xCxDxE 内置 2 个*** 16 位 PWM 计时器(共 8 路 PWM 输出,其中 6 路带死区互补输出),4 个通用 16 位 PWM 计时器(共 16 路 PWM 输出),2 个 16 位的基本定时器。
HK32F103xCxDxE 提供独立的 VBAT 电池电源域,当 VDD 主电源掉电时,RTC 模块可在 VBAT 电源供电的情况下继续工作;另外,VBAT 电池电源域提供了 84 byte 的备份寄存器。
HK32F103xCxDxE 内置了丰富的模拟电路:3 个 12 位 ADC(共 25 路模拟信号输入通道,其中 2 路弱驱动信号输入通道和 1 路 5V 高压信号输入通道)、2 个 12 位 DAC、1 个温度传感器、1 个 0.8V 内部参考电压源、1 个低电压检测器(LVD)、1 个上电/下电复位(POR/PDR)电路和 1 个 VBAT 电源电阻分压器(分压器输出在片内与 ADC 相连)。HK32F103xCxDxE 支持丰富的功耗模式;在***功耗模式下,芯片的典型漏电电流小于 100nA。
HK32F103xCxDxE 工作于-40°C 至+105°C 的温度范围,供电电压 2.0V 至 3.6V,可满足绝大部分应用环境条件的要求。
完整的 HK32F103xC、HK32F103xD 和 HK32F103xE 系列产品包括从 64 脚至 100 脚的两种不同封装。根据不同的封装形式,器件中的外设配置不尽相同。