CREECGH糸列高端芯片/Wolfspeed射频结栅场效应-CGHV96100F2

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参数

CREE CGH糸列高端芯片/Wolfspeed品牌
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TA-608K-T/R台湾圆达DIP侧按开关 6.0X6.0H0.8X5.25mm 180G棕色 ¥0.40

DHN-04-T-V-B台湾圆达DIP拨动开关4位1.27mm-6.7x4.5x1.675只/管 ¥2.00

DIP侦测开关 4.2X3.6H1.7MM 4PIN二路没有定位柱-ELUFCQR ¥1.00

FTE-2C-V-T/R(694)台湾圆达DIP侧按开关5.55X5.6H2.0mm 4PIN ¥0.90

QV76K03B 台湾圆达DIP侧按开关 DIP侧按开关 ¥0.50

产品详情

规格型号：CGHV96100F2 CREE CGH糸列高端芯片/Wolfspeed 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Wa

CGHV96100F2 100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT
时间：2020-02-19
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Cree的CGHV96100F2是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（氮化镓）高电子迁移率晶体管（高电子迁移度晶体管）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）FET提供了优异的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比，氮化镓半绝缘半导体还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该IM FET采用金属/陶瓷法兰封装，具有的电气和热性能。

■特征
▲8.4-9.6 GHz操作
▲145 W典型嘴
▲10 dB功率增益
▲40%典型PAE
▲50欧姆内部匹配
▲<0.3 dB功率下降
中文标题（翻译）: CGHV96100F2 100w，8.4-9.6ghz，50欧姆，输入/输出匹配氮化镓高电子迁移率晶体管
厂牌: WOLFSPEED
型号: CGHV96100F2、CGHV96100F2-TB、CGHV96100F2-AMP、CGHV96100F2-JMT
品类: 氮化镓高电子迁移率晶体管
应用: [空中交通管制][海洋雷达][海上船舶交通管制][气象监测][港口安全]
资料类型: 数据手册,数据表,data sheet
安规/环境规范:
工作温度: 详见资料
应用等级:
等级认证标准:
封装: SMD;440217;440210;838179