NSI6601B-DSPR描述:
NSi6601是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上升和下降时间,并可以提供5A/5A的拉灌电流能力。 NSI6601提供SOP8(150 mil)或SOP8(300 mil)封装,根据UL1577可支持3000VRMS或5700VRMS隔离, 150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),支持系统鲁棒性。该驱动器的电源电压为32V,而输入侧则接受3.1V至17V的电源电压。 所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。NSI6601具有高驱动电流,***耐用性,宽电源电压范围和快速信号传播的特性,适用于高可靠性,功率密度和效率的开关电源系统。
NSI6601B-DSPR特性:
单通道隔离驱动器
输入侧电源电压:3.1V至17V
驱动器侧电源电压:高达32V(同时具有9V和13V的UVLO选项)
峰值5A/5A拉灌电流能力
高CMTI:±150kV/μs
典型的78ns传播延迟
工作环境温度:-40°C〜125°C
符合RoHS的封装:
SOP8(150 mil)
SOP8(300 mil)
NSI6601B-DSPR应用:
隔离式DC / DC和AC / DC电源
高压PFC
太阳能逆变器
电机驱动器和电动汽车充电
UPS和电池充电器。