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参数
- 原装正品产品特性
- INFINEON/英飞凌品牌
- IRF640NSTRLPBF 型号
广东 深圳
2天内发货
1000000个
产品详情
英飞凌
封装
TO-26
批号
24+
数量
5000
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44.7 nC
最小工作温度
- 55 C
工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
5.5 ns
上升时间
19 ns
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP001561810
单位重量
2 g
可售卖地
全国
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产品参数
- 原装正品
- INFINEON/英飞凌
- IRF640NSTRLPBF
- 存储器
- TO263
- 场效应管
- 3.5V
- 2021+
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- 真空
- 3C数码
