TF2110M和TF2113M是高压、高速
具有独立高端和低端的MOSFET和LGBT驱动器
侧面出手。高端驱动器具有浮动电源功能,可用于
在500V/600V、10 ns()/20 ns()下运行
高低端的传播时延匹配
侧面驱动器允许高频操作。
TF2110M和TF2113M逻辑输入兼容
标准CMOS电平(低至3.3V),同时驱动器输出
具有高脉冲电流缓冲器,专为最小
驱动器交叉传导。
TF2110M和TF2113M提供16针SOL宽和
14针PDlP封装。它们在-40°C扩展到
+125°C温度范围
功能
在高端/低端驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
侧向配置
发泡高端运行电压为600V
2.***宿/2.***电源典型输出电流
输出对负瞬变的容忍
M宽栅极驱动器电源电压范围:10V至20V
中宽逻辑输入电源电压范围:3.3V至20V
中频逻辑电源偏置电压范围:-5V至5V
负载为1000pF时,15 ns(典型)上升/13 ns(典型)下降
105 ns(典型)开启/94 ns(典型)关断延迟时间
逐周期边沿触发关断电路
扩展温度范围:-40‘C至+125°C