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VISHAY威世SI2301CDS-T1-GE3 场效应管

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参数

场效应管产品特性
VISHAY品牌
SI2301CDS-T1-GE3型号

发货地广东深圳不限

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VISHAY威世HS0038BD红外发射管

VISHAY威世HS0038BD红外发射管面议

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产品详情

属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	类型	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.3A
	导通电阻(RDS(on))	112mΩ@4.5V,2.8A
	耗散功率(Pd)	860mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	3.3nC@10V
	输入电容(Ciss@Vds)	405pF@10V
	反向传输电容(Crss)	55pF@10V
	工作温度	-55℃~+150℃

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全部集成电路(IC) 薄膜电容器 IGBT模块 N沟道MOSFET 电子模块压电晶体、频率元件其他工控系统及装备功率晶体管

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产品参数

产品特性场效应管
品牌VISHAY
型号SI2301CDS-T1-GE3
类型其他IC
封装SOT23
批号24+

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