苏州创芯奇半导体有限公司
正式商用的IG,BT器,件的电,压,和电流容,量还很有,限,远远不能满,足电力电子应用,,技术发展的需求;高压,领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,,目前只能通过IGB,T高压串,联等技术来,实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士,ABB公司采用软穿通原则,研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A,高,压大功率IGBT器件已,经获得实际,应用,日本东芝也已涉足该领域,。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGB,T的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性,、低成本技术,主要采用1um以,制作工艺,研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的,高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双,极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过专家,鉴定,中国自此,有了完全自主的IGBT“中国芯”
优势代理产品为大,功率平板,式晶闸管、可控硅、二极管、IGBT,
品牌如EUPEC、西门,康、西码、三菱、ABB、三社、IR、 明纬开关,电源等国外,功率模块。
在国内严格,按照国际,标准生产:ZP型普通整流管、ZK型 快速整流管、KP型普通晶闸管、
KS型双向,复二极管、电焊机专,用模块、固态,继电器、固态调压器、型材散热,器等电,半导体器件。
本公司坚持以‘诚信为本、质量首位、价格合理’的经营理念
期待与贵公司的合作,一步一个脚印,做大做强,再创辉煌!
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T1791N45TOF
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T345N16TOF
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T348N02TOF
T348N04TOF
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T378N12TOF
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T388N12TOF
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