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二手赫瑞特15B-5P双面抛光机-研磨机-平磨机适用：光学玻璃/硅片/硬质合金/陶瓷介绍
本机主要适用于硅片、石英晶片、光学晶体、玻璃、宝石、铌酸锂、砷化镓、陶瓷片等薄脆金属或非金属的研磨或抛光。
硅的化学腐蚀过程应用于半导体材料硅的表面清洁处理、硅片加工后表面损伤层的去除、硅片的减薄和硅中缺陷的化学腐蚀。以下是硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。
一、硅片腐蚀工艺的化学原理
硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的小原电池，腐蚀电流大，一般超过100A/cm2。然而，氢氟酸主要用于高纯度的腐蚀液和减少可能的金属离子污染（HF）,酸性腐蚀液与硝酸(HNO3)混合，氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠（NaOH）等待碱性腐蚀液。目前HNO3主要用于HNO3-HF 腐蚀液和NaOH 腐蚀液。本文分别介绍了这两种腐蚀性液体的腐蚀化学原理和基本规律。
1.HNO3-HF 腐蚀液及腐蚀原理
硅的腐蚀液通常由氧化剂(如HNO3)和络合剂(如HF)组成。其配置为:HNO3浓度为70% HF的浓度为50% 以体积比10～2:1.化学反应如下：
3Si 4HNO3=3SiO2↓ 2H2O 4NO↑
硅氧化后形成致密的二氧化硅膜，不溶于水和硝酸盐，但可溶于氢氟酸，使腐蚀过程持续进行。相关的化学反应如下：
SiO2 6HF=H2[SiF6] 2H2O
2.NaOH 腐蚀液
氢氧化钠化学腐蚀时，使用10％～30％氢氧化钠水溶液，温度为 80～90℃，将硅片浸入腐蚀液中，腐蚀的化学方法是
Si＋H2O 2 NaOH =Na2SiO3 2H2↑
对于太阳能电池中使用的硅片化学腐蚀，从成本控制、环保、操作方便等因素出发，氢氧化钠腐蚀液的腐蚀深度一般超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。
二、 抛光工艺的化学原理
抛光分为两种：机械抛光和化学抛光，机械抛光速度慢，成本高，容易产生晶体缺陷表面。目***般采用铜离子抛光、铬离子抛光、二氧化硅氢氧化钠抛光等化学机械抛光工艺。
1. 铜离子抛光
铜离子抛光液由氯化铜、氟化铵和水组成，一般质量比为60:26:1000 组成，调整PH=5.8 或以质量比80左右:102.8:其反应原理如下：
Si 2CuCl2 6NH4F=(NH4)2[SiF6] 4NH4Cl 2Cu
铜离子抛光一般为酸性（pH 为5～6)在条件下进行时，当pH﹥7 因为pH=7，反应终止 当铜离子与氨分子产生稳定的络合物——铜氨络离子时，铜离子大大降低，抛光效果停止。抛光反应速度非常快。为防止腐蚀，取片时不得在表面残留抛光液，应立即抛水，或取片前冲洗稀硝酸，再次清洗，防止铜离子污染。
2.铬离子抛光铬离子抛光液由三氧化二铬、重铬酸铵和水组成，质量比一般为1:3:100 其反应原理如下：
3Si 2Cr2O72- 28H =3Si4 4Cr3 14H2O
三氧化二铬不溶于水，研磨硅表面。重铬酸铵能不断氧化和腐蚀硅表面，并结合三氧化二铬的机械研磨效果进行抛光。
三、二氧化硅-氢氧化钠抛光法二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种：
（1）将三氯氢硅或四氯化硅液体携带到氢氧化钠溶液中，沉淀在母液中，然后轻轻倒出上面的悬浮液，调整pH值 值为9.5～11.其反应如下：
SiCl4 4NaoH=SiO2↓ 4NaCl 2H2O
SiHCl3 3NaOH=SiO2↓ 3NaCl H2O H2↑
(2)二氧化硅颗粒也可以通过制备多晶硅废气或硅延伸废气来生产。反应如下:
SiCl4 H2SIO34H2O↓ 4HCl
H2SiO3=SiO2 H2O
(3)工业二氧化硅粉和水的质量比为150:1000 用氢氧化钠调节pH配置 值为9.5～11.pH抛光液 值为9.5～11 范围内，pH 价值太低，抛光很慢，PH 高值产生较强的腐蚀作用，硅片表面出现腐蚀坑。
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