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- TO252-TO220-TO263封装
我们来看看深圳振邦微AH60N08-60V+80A/N沟道MOS场效应管这款的具体产品参数，具有80A、60V的电流、电压，RDS(on) = 6.2mΩtyp) ，栅源电压@VGS =±20 V，*** EAS测试，*** Rg测试，*** DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，低导通内阻RDS(on)，低Crss。
AH60N08的封装形式会有TO-220、TO-263、TO-252。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：60V。
135-3806/7573 xv同步脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为6.2mΩ、VGS=4.5V则为7.5mΩ；反向传输电容：240pF。
在国产化的场效应管替换使用过程中，深圳振邦微国产型号：AH60N08型号参数来替换HRT60N08x型号。它采用TO-220封装产品，具有RDS(ON)小，EAS性能好，开关速度快等特点；TO-220封装产品可应用于UPS、24-36V电动滑板车/平衡车，300W/12V输入的逆变器（2只推免前级升压电路）；TO-263/252封装产品广泛应用于BMS保护板，负载开关
深圳振邦微还提供低压20V、30V、40V、60V、80V、100V以上MOS管应用在无刷电调，飞行器，高速车有需要的请来电咨询
型号 电压 电流 内阻 功率 封装
AH8080 80V 110A 内阻/5.5mΩ 250W 封装 TO220 >>>> NMOS场效应管
AH60N19 60V 50A 内阻/10mΩ 120W 封装TO252>>>NMOS场效应管
AH30N08 30V 50A 内阻/10mΩ 110W 封装DFN3*3-8L >>>NMOS场效应管
AH2510 100V 28A 内阻/36mΩ 150W 封装TO252 >>>NMOS场效应管
AH1510 100V 15A 内阻/80mΩ 79W 封装SOP-8—TO252>>>NMOS场效应管
AH60N08 60V 80A 内阻/8mΩ 80W 封装TO252-TO220-TO263>>>NMOS场效应管
AH8070A 68V 80A 内阻/8mΩ 180W 封装TO263 >>>> NMOS场效应管
AH6020A 60V 20A 内阻/35mΩ 45W 封装TO252 >>>> NMOS场效应管
AH10022 100V 22A 内阻/33mΩ 79W 封装TO252>>> NMOS场效应管
AH150N04 40V 150A 内阻/3到4mΩ 130W 封装TO220>>> NMOS场效应管
AH20N04 40V 20A 内阻/27mΩ 62W 封装TO252>>> NMOS场效应管
AH70N03D 30V 80A 内阻/7mΩ 75W 封装TO252>>> NMOS场效应管
AH460 60V 50A 内阻/20mΩ 85W 封装TO252 >>>>NMOS场效应管
AH20N06 60V 20A 内阻/35mΩ 45W 封装TO252 >>>> NMOS场效应管
AH6030 60V 3A 内阻/75mΩ 43W 封装SOT23-3>>>>NMOS场效应管
AH30N10 100V 30A 内阻/31mΩ 85W 封装TO252 >>>> NMOS场效应管
AH808N 80V 100A 内阻/6.5mΩ 148W 封装TO220-TO263>>>NMOS场效应管
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