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Si1553CDL-T1-GE3-VB SC70-6晶体管MOS管场效应管微碧半导体
¥
1.20
10 - 99PCS
¥
1.08
100 - 999PCS
¥
0.96
≥1000PCS
参数
大功率
产品特性
VBsemi/微碧半导体
品牌
Si1553CDL-T1-GE3-VB
型号
发货地
广东 深圳
1天内发货
供货总量
99999PCS
深圳市微碧半导体有限公司
6年
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Si1553CDL-T1-GE3-VB SC70-6晶体管MOS管场效应管微碧半导体
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产品参数
产品特性
大功率
品牌
VBsemi/微碧半导体
型号
Si1553CDL-T1-GE3-VB
封装
SC70-6
批号
26+
FET类型
MOS管
漏源电压(Vdss)
±20V
漏极电流(Id)
3.03/-2.58
漏源导通电阻(RDS On)
RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=±4.5V
栅源电压(Vgs)
标准
栅极电荷(Qg)
1.25/1.2nC@±4.5V
反向恢复时间
标准
最大耗散功率
1170/970
配置类型
Dual
工作温度范围
-55℃~+150℃
安装类型
表面贴片
应用领域
网络通信、 安防设备、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源
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