IRF4905S IRF4905STRLPBF Infineon/IR -55V -42A功率PMOS
IRF4905S IRF4905STRLPBF -55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
型号:IRF4905S IRF4905STRLPBF
厂商:Infineon/IR
封装:TO263
包装:800PCS/盘
批次:新年份
类型:MOS
描述:-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
丝印(打字):F4905S
备注:TI德州仪器原厂原装
替代:
IRF4905S规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
Infineon | |
MOSFET | |
Si | |
SMD/SMT | |
TO-263-3 | |
P-Channel | |
1 Channel | |
55 V | |
70 A | |
20 mOhms | |
- 20 V, + 20 V | |
2 V | |
180 nC | |
- 55 C | |
+ 150 C | |
170 W | |
Enhancement | |
Cut Tape | |
MouseReel | |
Reel | |
配置: | Single |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
商标: | Infineon / IR |
正向跨导 - 最小值: | 19 S |
下降时间: | 64 ns |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 99 ns |
工厂包装数量: | 800 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 4 g |
IRF4905S图片
IRF4905S说明
IRF4905S的特点是结温为150°C,开关速度快,重复雪崩额定值提高。 IRF4905S这些功能相结合,使该设计成为一种非常有效和可靠的设备,可用于多种其他应用。
IRF4905S优势
宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴的***可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
硅经过优化,适用于低于100kHz的开关
行业标准的表面贴装电源套件
高电流承载能力封装(高达195 A,取决于芯片尺寸)
能够波峰焊
IRF4905S特性
***的工艺技术
***导通电阻
150°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
一些参数与IRF4905S不同
无铅
IRF4905S参数
IRF4905S包装