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NID9N05CLT4G微碧60V N沟道TO-252封装MOS管大功率场效应管
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参数
- 大功率产品特性
- VBsemi/微碧半导体品牌
- NID9N05CLT4G 型号
广东 深圳
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9999PCS
产品详情
技术参数
| 品牌： | VBsemi/微碧半导体 |
| 型号： | NID9N05CLT4G |
| 批号： | 23+ |
| 封装： | TO252 |
| 沟道类型： | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 漏极电流（Id）： | 97A |
| 漏源导通电阻（RDS On）： | 6.3mΩ@10V |
| 栅源电压（Vgs）： | ±20 |
| 耗散功率（W）： | 136 |
品牌介绍
规格书
用途/应用领域
3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、***/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居
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产品参数
- 大功率
- VBsemi/微碧半导体
- NID9N05CLT4G
- TO252
- 23+
- 增强型
- 60V
- 97A
- 6.3mΩ@10V
- ± 20V
- 82
- /
- 136
- N沟道
- /
- /
- 军工/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源
