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瑞腾丰大芯片5N65 场效应MOS管5A/650V 足参数FQD5N65C 贴片TO-252

¥0.60 ≥10PCS起批

参数

瑞腾丰品牌
5N65型号
TO-252封装

发货地广东深圳 2天内发货供货总量4856120PCS

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瑞腾丰大芯片5N65 场效应MOS管5A 650V N沟道5N65塑封 TO-220F

瑞腾丰大芯片5N65 场效应MOS管5A 650V N沟道5N65塑封 TO-220F ¥0.87

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产品参数

品牌瑞腾丰
型号5N65
封装TO-252
批号22+
FET类型N沟道
漏源电压（Vdss）650V
漏极电流(Id)5A
漏源导通电阻(RDS On)2.5
栅源电压(Vgs)±30
栅极电荷(Qg)15nC
反向恢复时间电话联系
最大耗散功率49000
配置类型MOSFET场效应管
工作温度范围-55°C ~ 150°C
安装类型贴片

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