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IRFP140N

¥5.50 ≥5000PCS起批

参数

IR品牌
IRFP140N型号
TO247封装

发货地广东深圳 1天内发货供货总量20000PCS

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供应IRFP140N MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm绝缘栅(MOSFET)

供应IRFP140N MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm绝缘栅(MOSFET) 面议

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IRFP460PBF三极管IRFP250 IRFP150 IFRP350现货***IFRP450P

IRFP460PBF三极管IRFP250 IRFP150 IFRP350现货***IFRP450P 面议

产品详情

IRFP140N

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供系统效率。

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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产品参数

品牌IR
型号IRFP140N
封装TO247
批号21+
FET类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V
漏极电流(Id)30A
漏源导通电阻(RDS On)--
栅源电压(Vgs)--
栅极电荷(Qg)--
反向恢复时间--
最大耗散功率--
配置类型--
工作温度范围工作温度175°
安装类型直插通孔

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