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全新微碧WNM2025-3/TR SOT23-3封装增强型MOS管场效应管被动件

¥0.20 10 - 99
¥0.19 100 - 999
¥0.18 ≥1000

参数

增强型产品特性
VBsemi（微碧）品牌
WNM2025-3/TR型号

发货地广东深圳 1天内发货供货总量10000PCS

深圳市微碧半导体有限公司 3年: 进入店铺在线咨询

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产品参数

产品特性增强型
品牌VBsemi（微碧）
型号WNM2025-3/TR
封装SOT23-3
批号22+
FET类型MOS管
漏源电压（Vdss）20V
漏极电流(Id)6A
漏源导通电阻(RDS On)31.8mΩ@4.5V
栅源电压(Vgs)/
栅极电荷(Qg)/
反向恢复时间/
最大耗散功率/
配置类型N沟道
工作温度范围/
安装类型贴片
应用领域军工/航天、汽车电子、网络通信、安防设备、医疗电子、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、 3C数码、广电教育、物联网IoT、可穿戴设备、新能源

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