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大功率微碧86T03GH TO252封装MOS管场效应管N沟道30V100A

¥1.86 10 - 99PCS
¥1.85 100 - 999PCS
¥1.84 ≥1000PCS

参数

大功率产品特性
VBsemi（微碧）品牌
86T03GH型号

发货地广东深圳 1天内发货供货总量99999PCS

深圳市微碧半导体有限公司 3年: 进入店铺在线咨询

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产品参数

产品特性大功率
品牌VBsemi（微碧）
型号86T03GH
封装TO252
批号23+
FET类型MOS
漏源电压（Vdss）30V
漏极电流(Id)100A
漏源导通电阻(RDS On)2mΩ@10V
栅源电压(Vgs)标准
栅极电荷(Qg)标准
反向恢复时间标准
最大耗散功率标准
配置类型Single
工作温度范围标准
安装类型表面贴片
应用领域汽车电子、网络通信、安防设备、医疗电子、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、 3C数码、广电教育、物联网IoT、可穿戴设备、新能源

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