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供应 LYNM20120 LYNM310 LYNM320 场效应晶体管外型可协商

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参数

场效应管产品特性
国之航品牌
LYNM1590型号

发货地陕西西安 35天内发货供货总量21个

西安国之航电子科技有限公司 1年: 进入店铺在线咨询

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产品参数

产品特性场效应管
品牌国之航
型号LYNM1590
封装TO-257,SMD,B2-01C,LCC-18
批号2325
FET类型CMOS场效应管
漏源电压（Vdss）55V
漏极电流(Id)17A
漏源导通电阻(RDS On)0.069
栅源电压(Vgs)55V
栅极电荷(Qg)100NA
反向恢复时间22
最大耗散功率2000
配置类型通孔
工作温度范围-55-125
安装类型金属封装
应用领域军工/航天、汽车电子、网络通信、安防设备、医疗电子、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、 3C数码、物联网IoT、可穿戴设备、新能源
封装1TO-257
执行标准QZJ840611A
工作温度-55-125
外型SMD

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