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SGT MOSFET BMS 光伏逆变器储能户外电源选型

面议

参数

SGT MOSFET产品特性
捷瑞德品牌
JRP03N08-P型号

发货地广东深圳 1天内发货供货总量500K

深圳市海富利电子有限公司 2年: 进入店铺在线咨询

SGT MOSFET BMS 光伏逆变器储能户外电源芯片供应商

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产品详情

采用***的SGT 技术，极低的导通和开关损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于 BMS 和高电流开关应用，光伏逆变器，户外储能电源

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产品参数

产品特性SGT MOSFET
品牌捷瑞德
型号JRP03N08-P
封装TO-220 TO-263-7 TO-247
批号2310
FET类型N
漏源电压（Vdss）85V
漏极电流(Id)230A
漏源导通电阻(RDS On)2.3
栅源电压(Vgs)2,3,4
栅极电荷(Qg)138.3nC
反向恢复时间80nS
最大耗散功率250000
配置类型SGT MOS
工作温度范围-55-150 ℃

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