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C3M0040120K 1200V 65A 40毫欧 Discrete SiC Mosfet

参数
  • CRee品牌
  • C3M0040120K型号
  • TO-247封装
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产品详情

1200V 65A 40毫欧  碳化硅功率MOSFET  N通道增强模式

1200V 40MOHM SIC MOSFET

适用于:

太阳能逆变器

电动汽车电机驱动

高压DC/DC转换器

开关模式电源

负载开关






属性

参数值

制造商型号

C3M0040120K

制造商

CREE(科锐)

商品描述

1200V 40MOHM SIC MOSFET

包装

管件

系列

C3M™

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

66A(Tc)

驱动电压( Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值)

53.5 毫欧 33.3A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(值)

3.6V 9.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值)

99 nC 15 V

Vgs(值)

+15V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值)

2900 pF 1000 V

FET 功能

-

功率耗散(值)

326W(Tc)

工作温度

-40°C # 175°C(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4L

封装/外壳

TO-247-4

温度

-40°C # 175°C(TJ)


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