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迈志微 PDIA60R026JF2 N沟道600V100A 26mΩ TO-247封装 MOS

¥13.40 1080 - 5399PCS
¥13.00 ≥5400PCS

参数

SJMOS产品特性
迈志微品牌
PDIA60R026JF2型号

发货地广东深圳 7天内发货供货总量108000PCS

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产品参数

产品特性SJMOS
品牌迈志微
型号PDIA60R026JF2
封装TO-247
批号2023+
FET类型N沟道
漏源电压（Vdss）650V
漏极电流(Id)100A
漏源导通电阻(RDS On)26mΩ
栅源电压(Vgs)±30
栅极电荷(Qg)192NC
最大耗散功率694
工作温度范围-55°C~150°C
安装类型插入型
应用领域汽车电子、安防设备、新能源

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迈志微 PDIA60R026JF2 N沟道600V100A 26mΩ TO-247封装 MOS: ¥13.00~¥13.40