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新推出 Fet东沅 FKBA6006 N通道60V快速开关MOSFET
- ¥0.01 ≥3000PCS起批
- 低栅极电荷产品特性
- Fet/东沅品牌
- FKBA6006型号
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
供应N通道60V快速开关MOSFET，可为终端客户提供样品及技术支持！
深圳市内可送货上门，欢迎致电！
型号：FKBA6006
封装：PRPAK5x6
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
温馨提示：公司产品丰富，如想求购具体型号可直接致电或QQ联系！
Description
The FKBA6006 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buckconverter applications.The FKBA6006 meet the RoHS and GreenProduct requirement, *** EAS guaranteed withfull function reliability approved.
Features
● *** EAS Guaranteed
● Green Device Available
● Super Low Gate Charge
● Excellent CdV/dt effect decline
● Advanced high cell density Trench technology
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain- Source Breakdown Voltage: 60V
● BVDSS Temperature Coefficient Reference: 0.057V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=10V , ID=20A: 18mΩ
VGS=4.5V , ID=10A: 20mΩ
● Gate Threshold Voltage: 1.2~2.5V
● VGS(th) Temperature Coefficient: -5.68mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA
VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA
● Gate- Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 35.2S
● Gate Resistance: 1.7Ω
● Total Gate Charge (4.5V): 19.3nC
● Gate Source Charge: 7.7nC
● Gate-Drain Charge: 7.6nC
● Turn-On Delay Time: 7.2ns
● Rise Time: 50s
● Turn-Off Delay Time: 36.4ns
● Fall Time: 7.6ns
● Input Capacitance: 2423pF
● Output Capacitance: 145pF
● Reverse Transfer Capacitance: 97pF
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
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