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Fet东沅 FKH6018A N沟道MOS管 封装TO263 新批次货源

参数
  • 低栅极电荷产品特性
  • Fet/东沅品牌
  • FKH6018A型号
广东 深圳 2天内发货 50000PCS
深圳市科瑞芯电子有限公司 2年
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产品详情

深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商,商品原厂原装

供应N沟道快速开关MOSFET,可为终端客户提供样品及技术支持!

由于电子行情价格波动大,无法实时更新价格,  下单时请先咨询客服~


型号:FKH6018A

封装:TO263

类型:N通道MOS管

品牌:Fet/东沅

温馨提示:公司产品丰富,如想求购具体型号可直接致电或QQ联系!


Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)

● Drain-Source Breakdown Voltage: 60V

● Static Drain-Source On-Resistance: 6.5~8.2mΩ

● Gate Threshold Voltage: 2.5~4.5V

● Drain-Source Leakage Current

VDS=48V , VGS=0V , TJ=25℃: 1uA

VDS=48V , VGS=0V , TJ=55℃: 5uA

● Gate-Source Leakage Current: ±100nA

● Forward Transconductance: 97S

● Total Gate Charge : 35.5nC

● Gate-Source Charge: 8.6nC

● Gate-Drain Charge: 15.9nC

● Turn-On Delay Time: 17.2ns

● Rise Time: 33.6ns

● Turn-Off Delay Time: 28ns

● Fall Time: 18.9s

● Input Capacitance: 1990pF

● Output Capacitance: 400pF

● Reverse Transfer Capacitance: 180pF


Diode Characteristics

● Continuous Source Current: 80A

● Diode Forward Voltage: 1.2V

● Reverse Recovery Time: 11.9nS

● Reverse Recovery Charge: 4.6nC


产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系


深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商,产品多,规格全,质量优,供应及时,交货快捷。

主要耕耘市场为:

适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。

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公司主营产品:

肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等,更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询!

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