- 商品
- 详情
Fet东沅 FKR4016 N沟道MOSFET 封装TO251 低栅极电荷
- ¥0.01 ≥3000PCS起批
- 低栅极电荷产品特性
- Fet/东沅品牌
- FKR4016型号
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
可为终端客户提供样品及技术支持！
欢迎致电！
型号：FKR4016
封装：TO251
类型：N通道MOS管
品牌：Fet/东沅
温馨提示：公司产品丰富，如想求购具体型号可直接致电或QQ联系！
描述
FKR4016是高单元密度沟槽式N沟MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极电荷。FKR4016符合RoHS和绿色产品要求，100.00%EAS保-证，并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 保-证100.00%EAS
● 绿色设备可用
● 低栅极电荷
● 出-色的Cdv/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度沟槽技术
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏源击穿电压：40V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=32V，ID=15A: 6.5mΩ
VGS=32V，ID=12A: 9mΩ
● 栅极阈值电压：1.0~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=-24V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=-24V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：27S
● 栅极电阻：1.4Ω
● 闸门总电荷：28nC
● 栅极-源极电荷：7.85nC
● 栅极漏极电荷：12.5nC
● 开机延迟时间：20.2ns
● 上升时间：11.8ns
● 关闭延迟时间：84.8ns
● 秋季时间：8.6ns
● 输入电容：3354pF
● 输出电容：275pF
● 反向传输电容：204pF
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商，产品多，规格全，质量优，供应及时，交货快捷。
主要耕耘市场为：
适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。
主要经营的品牌有：
GMT、ZOWIE、UTC、ETA、INJOINIC、SOUTHCHIP、VIA、BYD等等，更多品牌欢迎到店铺查看或来电咨询！
公司主营产品：
肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等，更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询！
在线问
- 低栅极电荷
- Fet/东沅
- FKR4016
- TO251
- 24+
- N通道MOS管
- 40V
- 75A
- 6.5mΩ
- ±20A
- 24.9nC
- 23.8ns
- 62.5
- 沟槽型
- -55 to 150 ℃
- 表面贴装式
- 汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备
- 80000
- 1186670662
- 代理
- 原厂
- 全国
