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场效应管STD95NH02L-VB TO251微碧半导体MOS管电子元器件晶体管

¥1.80 10 - 99PCS
¥1.62 100 - 999PCS
¥1.44 ≥1000PCS

参数

大功率产品特性
VBsemi/微碧半导体品牌
STD95NH02L-VB型号

发货地广东深圳 2天内发货供货总量99999PCS

深圳市微碧半导体有限公司 4年: 进入店铺在线咨询

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供应商网> 场效应管(MOSFET)> N沟道MOSFET> 场效应管STD95NH02L-VB TO251微碧半导体MOS管电子元器件晶体管

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产品参数

产品特性大功率
品牌VBsemi/微碧半导体
型号STD95NH02L-VB
封装TO251
批号24+
FET类型MOS
漏源电压（Vdss）30V
漏极电流(Id)100A
漏源导通电阻(RDS On)3.5mΩ@VGS=10V
栅源电压(Vgs)标准
栅极电荷(Qg)标准
反向恢复时间标准
最大耗散功率标准
配置类型single
工作温度范围标准
安装类型直插通孔
应用领域网络通信、安防设备、测量仪器、智能家居、家用电器、照明电子、 3C数码、物联网IoT、可穿戴设备、新能源

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