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晶体管TSM9NB50CI-VB TO220封装微碧半导体电子芯片MOS管场效应管
¥
3.80
10 - 99PCS
¥
3.42
100 - 999PCS
¥
3.04
≥1000PCS
参数
大功率
产品特性
VBsemi/微碧半导体
品牌
TSM9NB50CI-VB
型号
发货地
广东 深圳
2天内发货
供货总量
99999PCS
深圳市微碧半导体有限公司
5年
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晶体管TSM9NB50CI-VB TO220封装微碧半导体电子芯片MOS管场效应管
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产品参数
产品特性
大功率
品牌
VBsemi/微碧半导体
型号
TSM9NB50CI-VB
封装
TO220
批号
25+
FET类型
MOS
漏源电压(Vdss)
500V
漏极电流(Id)
13A
漏源导通电阻(RDS On)
660mΩ@10V
栅源电压(Vgs)
±30V
栅极电荷(Qg)
标准
反向恢复时间
标准
最大耗散功率
/
配置类型
single
工作温度范围
标准
安装类型
直插通孔
应用领域
军工/航天、 汽车电子、 网络通信、 安防设备、 医疗电子、 测量仪器、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 广电教育、 物联网IoT、 可穿戴设备、 新能源
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