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IPA65R400CEXKSA1分立半导体单FET

¥6.39 1 - 9
¥6.00 ≥10

参数

集成电路产品特性
Infineon品牌
IPA65R400CEXKSA1型号

发货地上海静安区 7天内发货供货总量100PCS

北京天阳诚业科贸有限公司 5年: 进入店铺在线咨询

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供应商网> 场效应管(MOSFET)> P沟道MOSFET> IPA65R400CEXKSA1分立半导体单FET

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产品参数

产品特性集成电路
品牌 Infineon
型号IPA65R400CEXKSA1
封装reel
批号22+
FET类型N 通道
漏源电压（Vdss）650 V
漏极电流(Id)15.1A（Tc）
漏源导通电阻(RDS On)400毫欧 @ 3.2A，10V
栅源电压(Vgs)10V
栅极电荷(Qg)3.5V @ 320µA
反向恢复时间39 nC @ 10 V
最大耗散功率31W（Tc）
配置类型超级结
工作温度范围-55°C ~ 150°C（TJ
安装类型通孔
应用领域汽车电子

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